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IPB123N10N3 G /
IPB123N10N3 G的规格信息
IPB123N10N3 G的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2500pF @ 50V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：94W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：12.3 毫欧 @ 46A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PG-TO263-3

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss）：100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：58A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 46µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：35nC @ 10V

安装风格：SMD/SMT

通道数量：1Channel

晶体管极性：N-Channel

Id-连续漏极电流：58A

Rds On-漏源导通电阻：10.7mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：2V

Vgs - 栅极-源极电压：20V

Qg-栅极电荷：35nC

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+175C

配置：Single

Pd-功率耗散：94W

通道模式：Enhancement

商标名：OptiMOS

封装：CutTape

高度：4.4mm

长度：10mm

系列：OptiMOS3

晶体管类型：1N-Channel

宽度：9.25mm

正向跨导 - 最小值：29S

下降时间：5ns

上升时间：8ns

典型关闭延迟时间：24ns

典型接通延迟时间：14ns

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商IPB123N10N3 G
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深圳和润天下电子科技有限公司IPB123N10N3 G深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IPB123N10N3 G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城（深圳）科技有限公司IPB123N10N3 Gwww.nowchip.com0755-27381274
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深圳市坤融电子有限公司IPB123N10N3 G航都大厦10I0755-23990975
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芯莱德电子（香港）有限公司IPB123N10N3 G深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419，19076157484		杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市全秀电子有限公司IPB123N10N3 G东久创新科技园6栋12楼整层13129599479
13129599479		刘群Email:13129599479@163.com询价
深圳瀚顺芯电子科技有限公司IPB123N10N3 G深圳市福田区福田街道皇岗社区吉龙一村26栋801室18927111567黄Email:1585681270@qq.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司IPB123N10N3 G深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
18124040553		杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
深圳市佳威星科技有限公司IPB123N10N3 G深圳市福田区华强北路现代之窗B座28C0755-83045910
13724343501		胡小姐Email:jiaweixingic@126.com询价
深圳市拓亿芯电子有限公司IPB123N10N3 G深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
13510175077		刘先生,李小姐Email:tyxliujian@163.com询价
深圳市星宇佳科技有限公司IPB123N10N3 G深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
13332931905		谢先生Email:2851989182@qq.com询价
深圳市博浩通科技有限公司IPB123N10N3 G华强北宝华大厦A座8080755-82811430，0755-82818091
15989349634，13798567707		朱丽娜skype:bhtkj@hotmail.comEmail:bob@bhtkj.com询价
深圳市芯泽盛世科技有限公司IPB123N10N3 G龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
18822854608		李先生Email:2119980731@qq.com询价
深圳市河锋鑫科技有限公司IPB123N10N3 G华强北现代之窗A 9D0755-23903154
13430590551		杨晓芳Email:305739080@qq.com询价
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司IPB123N10N3 G深圳市福田区华富路1046-1号华康大厦2栋2楼2100755-83230201
19147724283，19147721680		王小姐，刘先生Email:345720093@qq.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司IPB123N10N3 G深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
柒号芯城电子商务（深圳）有限公司IPB123N10N3 G深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
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深圳市毅创腾电子科技有限公司IPB123N10N3 G深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
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深圳市域立航科技有限公司IPB123N10N3 G深圳市福田区华强北路1002号赛格广场41楼4108A （本公司可开13%增值税票）0755-82576356，83233239
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集好芯城IPB123N10N3 G深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
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IPB123N10N3 G及相关型号的PDF资料
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IPB123N10N3 GMOSFET N-Ch 100V 58A D2PAK-2 OptiMOS 3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO650.68 Kbytes共11页IPB123N10N3 G的PDF下载地址无
IPB123N10N3 G连续漏极电流（Id）（25°C 时）：58A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3.5V @ 46uA 漏源导通电阻：12.3mΩ @ 46A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：94W(Tc) 类型：N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO637.93 Kbytes共11页IPB123N10N3 G的PDF下载地址无
IPB123N10N3 G的全球分销商及价格
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元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		IPB123N10N3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V1+:￥12.65
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
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元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
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Mouser 贸泽电子		IPB123N10N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 58A D2PAK-2 OptiMOS 31:¥12.6786
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200+:￥5.26
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